Описание
Отзывы
Low voltage high speed power IGBT, N-Channel MOSFET Gate Driver
Характеристики
Корпус
SOIC-8
Мощность
рассеиваемая (max) - 625 мВт
Напряжение
питания 6...20В
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
Россия
✖
Россия ваш город?
Да
Выбрать другой город
8 (938) 49-50-400
Режим работы:
Пн-Вс, с 10:00-19:00
Адрес:
Москва, ул. Верейская, 25, оф 102
Email: