Описание
Отзывы
Low voltage high speed power IGBT, N-Channel MOSFET Gate Driver
Характеристики
Единиц в одном товаре
1 шт.
Корпус
SOIC-8
Мощность
рассеиваемая (max) - 625 мВт
Напряжение
питания 6...20В
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0